NVRAM(Non-Volatile Random Access Memory)，即非易失性隨機訪問存儲器 ,是指斷電后仍能保持數(shù)據的一種RAM。NVRAM的數(shù)據訪問速度介于易失性存儲器和常規(guī)硬盤之間。和易失性存儲器相比，非易失性存儲器一經寫入數(shù)據，就不需要外界電力來維持其記憶。NVRAM主要有兩種，分別是多層式存儲（MLC, Multi Level Cell）及單層式存儲（SLC, Single Level Cell）。兩者讀取速度差異不大，使用MLC顆粒的固態(tài)硬盤成本較使用SLC的低，但是寫入速度較低、使用壽命也較短。閃存是最常見的非易失性存儲器。小容量的閃存可被制作成帶有USB接口的移動存儲設備，亦即人們常說的“閃存盤”、“優(yōu)盤”。隨著生產成本的下降，將多個大容量閃存模塊集成在一起，制成以閃存為存儲介質的固態(tài)硬盤已成為可能。
隨著移動設備、便攜式設備和無線設備的迅猛發(fā)展，NVRAM也遇到了前所未有的好時機，并迅速走俏市場。日前，在多種NVRAM中，以閃存（Flash Memory）技術最為引人注目，并占據著NVRAM市場的霸主地位。盡管現(xiàn)在不同于閃存技術的其他NVRAM技術已經出現(xiàn)，并逐漸被一些廠商重視并看好，但在近幾年內，閃存仍將以其強大的優(yōu)勢稱霸NVRAM應用市場。移動市場和無線市場的強大需求為NVRAM帶來了市場機會，同時也對NVRAM提出了更高的要求，更快的速度、更大的容量、更高的整合度以及更低的能耗