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主頁 ? 產品中心 ? SRAM ? XRAM
X型隨機存儲器，是基于TLC DRAM（三態 DRAM）和RFDRAM（免刷新DRAM）專利技術而成的新型存儲器。不同于傳統的DRAM和SRAM, XRAM 具有以下幾個技術特點：
1、數據讀取速率快于DRAM產品10倍，延時只有10ns左右；
2、容量覆蓋Megabit到Gigabit；
3、可以節省40%左右的存儲陣列功耗；
4、從用戶端不需要考慮刷新機制，可以隨時訪問。
XM6A系列產品采用DRAM接口并結合獨有的XRAM免刷新專利技術，支持DDR3高速帶寬,提供10ns級別的讀寫延遲速度,完全不需要DRAM的刷新機制，與SRAM接口應用類似，并提供BGA144和BGA96兩種封裝，容量從144Mb到36Mb，可滿足各種高速度、低延時、高可靠性的應用。 
Density PartNumber BW bit Vdd Interface Speed(MHz) Package Status PDF下載
144Mb XM8A04M36V18A X36 1.5/1.8V Common I/O 400/533/600 BGA96/144 2Q19 暫無
144Mb XM8A08M18V18A X18 1.5/1.8V Common I/O 400/533/600 BGA96/144 2Q19 暫無
72Mb XM6A02M36V18A X36 1.5/1.8V Common I/O 400/533/600 BGA96/144 2Q19 暫無
72Mb XM8A04M18V18A X18 1.5/1.8V Common I/O 400/533/600 BGA96/144 2Q19 暫無
36Mb XM6A01M36V18A X36 1.5/1.8V Common I/O 400/533/600 BGA96/144 2Q19 暫無
36Mb XM8A02M18V18A X18 1.5/1.8V Common I/O 400/533/600 BGA96/144 2Q19 暫無
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