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eMCP是結(jié)合eMMC和MCP封裝而成的智慧型手機記憶體標(biāo)準(zhǔn),eMCP內(nèi)建的NAND Flash控制晶片,可以減少主晶片運算的負(fù)擔(dān),并且管理更大容量的快閃記憶體,以外型設(shè)計來看,不論是eMCP或是eMMC內(nèi)嵌式記憶體設(shè)計概念,都是為了讓智慧型手機的外型厚度更薄,機殼密閉度更完整。
濟(jì)州半導(dǎo)體是全球最大的移動應(yīng)用解決方案提供商之一的SRAM
由于濟(jì)州半導(dǎo)體出道到SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)和4M SRAM的2001市場,濟(jì)州半導(dǎo)體持續(xù)實施全系列低功耗SRAM產(chǎn)品通過1M、2M、4M至8M SRAM。
濟(jì)州半導(dǎo)體的SRAM是建立在強大的6晶體管存儲單元的技術(shù),可以在非常低的功耗的快速存取時間。濟(jì)州半導(dǎo)體存儲器產(chǎn)品已被公認(rèn)為最強大的低功耗存儲解決方案,可以穩(wěn)定地運行任何嚴(yán)謹(jǐn)?shù)沫h(huán)境下可以通過移動手機。濟(jì)州半導(dǎo)體是由世界領(lǐng)先的手機制造商公認(rèn)的一個最可靠的SRAM制造商。除了手機應(yīng)用,濟(jì)州半導(dǎo)體SRAM SRAM提供產(chǎn)品應(yīng)用在全世界。
Density Part number DRAM eMMC Speed Package Type NAND Type PDF下載
8Gb + 2Gb JSMPGB1BA1HYAABD-H418 LPDDR2 1CS eMMC 5.0 HS400 162B (11.5mm x 13mm) MLC 暫無
8Gb + 2Gb JSMPGC1GA1HYAABD-H418 LPDDR2 1CS eMMC 5.0 HS400 162B (11.5mm x 13mm) MLC 暫無
4Gb + 2Gb JSMPFB1BD1AVAABD-H418 LPDDR2 1CS eMMC 5.0 HS400 162B (11.5mm x 13mm) TLC 暫無
4Gb + 2Gb JSMPFC1GD1AVAABD-H418 LPDDR2 1CS eMMC 5.0 HS400 162B (11.5mm x 13mm) TLC 暫無
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