Everspin Technologies作為MRAM技術的領先者，其在數據存儲領域的貢獻和影響力不容忽視。MRAM技術的獨特之處在于其結合了RAM的高速性能與閃存的非易失性特性，為用戶提供了卓越的數據存儲體驗。
 
    Everspin的MRAM產品采用了先進的磁性隧道結技術，通過固定磁層與可翻轉磁層之間的相互作用，實現了數據的穩定存儲。這種設計不僅確保了數據的長期可靠性，還避免了傳統存儲介質中可能存在的數據丟失風險。
 
    代理英尚微提供的MRAM在性能方面，技術展現出了出色的表現。其高速讀寫能力和低延遲特性，使得MRAM在各類應用場景中都能發揮出卓越的性能。無論是在數據中心、云計算環境，還是在工業自動化、汽車及航空航天等領域，Everspin的MRAM技術都能為用戶提供穩定、高效的數據存儲支持。

 Everspin SPI MRAM

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp	Order Multiple /Tray	MOQ / T&R
4Mb	512Kx8	MR25H40CDC	8-DFN	3.3V	Industrial	570	4,000
4Mb	512Kx8	MR25H40CDCR	8-DFN	3.3v	Industrial	570	4000
4Mb	512Kx8	MR25H40CDF	8-DFN sf	3.3V	Industrial	570	4,000
4Mb	512Kx8	MR25H40CDFR	8-DFN sf	3.3v	Industrial	570	4000
4Mb	512Kx8	MR25H40MDF	8-DFN sf	3.3V	AEC-Q100 Grade 1	570	4,000
4Mb	512Kx8	MR25H40MDFR	8-DFN sf	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	570	4000
4Mb	512Kx8	MR25H40VDF	8-DFN sf	3.3v	Extended	570	4000
4Mb	512Kx8	MR25H40VDFR	8-DFN sf	3.3v	Extended	570	4000
4Mb	512Kx8	MR20H40CDF	8-DFN sf	3.3V	Industrial	570	4,000
4Mb	512Kx8	MR20H40CDFR	8-DFN sf	3.3V	Industrial	570	4,000
1Mb	128Kx8	MR25H10CDC	8-DFN	3.3V	Industrial	570	4,000
1Mb	128Kx8	MR25H10CDCR	8-DFN	3.3v	Industrial	570	4000
1Mb	128Kx8	MR25H10CDF	8-DFN sf	3.3V	Industrial	570	4,000
1Mb	128Kx8	MR25H10CDFR	8-DFN sf	3.3v	Industrial	570	4000
1Mb	128Kx8	MR25H10MDC	8-DFN	3.3V	AEC-Q100 Grade 1	570	4,000
1Mb	128Kx8	MR25H10MDCR	8-DFN	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	570	4000
1Mb	128Kx8	MR25H10MDF	8-DFN sf	3.3V	AEC-Q100 Grade 1	570	4,000

 

本文關鍵詞：?Everspin MRAM,MRAM

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