EverspinTechnologies MR25H40MDF容量為4Mb的磁阻隨機存取存儲器 (MRAM)。MR25H40MDF擁有35ns的讀/寫周期(無寫入延遲),以及出色的耐讀/寫能力。數據保持期長達20年以上而不會丟失,并會在掉電時由低壓抑制電路自動提供保護,以防止在非工作電壓期間寫入。對于必須快速、永久地存儲和檢索關鍵數據和程序的應用,MR25H40MDF在較為寬的溫度范圍內提供高度可靠的數據存儲。溫度范圍-40℃ to +125℃,用MRAM替代電池供電的SRAM解決方案,并消除了組裝電池以及可靠性問題和不利因素。