汽車(chē)動(dòng)力總成模塊使用閃存技術(shù)在斷電（保持活動(dòng)內(nèi)存（KAM）和非易失性?xún)?nèi)存（NVM））期間保留重要的控制和診斷信息。復(fù)雜的軟件必須設(shè)計(jì)為最大化這些設(shè)備的生命周期，因?yàn)樗鼈兊膶?xiě)入周期數(shù)量有限。
 
MRAM（磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）具有消除這種復(fù)雜性的潛力，并使KAM和NVM的管理過(guò)程更輕松，更強(qiáng)大。板載MRAM器件與下一代動(dòng)力總成微處理器一起使用。創(chuàng)建了集成了最新動(dòng)力總成微控制器，everspin MRAM MRA16A（2個(gè)x16位）和MR2xH50（@ SCK 40MHz）芯片的原型板。
 
汽車(chē)工業(yè)正在引入新的非易失性存儲(chǔ)器，例如mram芯片，相控存儲(chǔ)器（PCRAM）和RRAM。這些新的存儲(chǔ)器在汽車(chē)改變狀態(tài)條件期間提供了存儲(chǔ)和檢索數(shù)據(jù)方面的改進(jìn)。動(dòng)力總成控制研究與發(fā)展（PCRA）團(tuán)隊(duì)與Everspin和微控制器供應(yīng)商合作，使用下一代動(dòng)力總成控制器快速構(gòu)建外部MRAM的原型。
 
非易失性存儲(chǔ)器
當(dāng)前，引擎控制單元（ECU）使用非易失性存儲(chǔ)器（NOR FLASH）來(lái)存儲(chǔ)日志記錄數(shù)據(jù)（DFLASH）。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在DFLASH中，并在點(diǎn)火鑰匙關(guān)閉（或稱(chēng)為KO（鑰匙關(guān)閉））后記錄。該數(shù)據(jù)用于完善用于控制傳動(dòng)系統(tǒng)的算法的系數(shù)，并確定傳感器輸入是否已超過(guò)預(yù)定極限。必須存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)（例如，在發(fā)動(dòng)機(jī)和車(chē)輛組裝期間從條形碼讀取中捕獲的單個(gè)噴油器微調(diào)數(shù)據(jù)，變速箱電磁閥特性數(shù)據(jù)以及永久性P代碼等）。 KAM類(lèi)型的數(shù)據(jù)（例如自適應(yīng)表）需要在密鑰循環(huán)后保留，但是如果丟失，可以重新使用。
 
DFLASH和當(dāng)前發(fā)行的限制銀行掉期操作是當(dāng)前DFLASH的限制。將非易失性數(shù)據(jù)寫(xiě)入DFLASH需要花費(fèi)幾秒鐘的時(shí)間。當(dāng)發(fā)生存儲(chǔ)區(qū)交換時(shí)，D-Flash的未使用存儲(chǔ)區(qū)將被刪除，在已刪除存儲(chǔ)區(qū)上建立文件系統(tǒng)，最后將搜索舊存儲(chǔ)區(qū)以找到最新數(shù)據(jù)，然后將其復(fù)制到新存儲(chǔ)區(qū)中。在發(fā)生大多數(shù)問(wèn)題的銀行掉期過(guò)程中，密鑰有足夠的時(shí)間重新出現(xiàn)。在不同的應(yīng)用程序版本和車(chē)輛類(lèi)型之間，以這種方式支持的NVRAM數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的數(shù)量和大小可能會(huì)有所不同。更新請(qǐng)求的頻率是可變的，某些情況是基于特定事件的發(fā)生（例如，車(chē)輛配置信息已更改或需要存儲(chǔ)新的診斷事件）。