一般計算機系統所使用的隨機存取內存主要包括動態與靜態隨機存取內存兩種，差異在于DRAM需要由存儲器控制電路按一定周期對存儲器刷新，才能維系數據保存，SRAM的數據則不需要刷新過程，在上電期間數據不會丟失。

SRAM是一種具有靜止存取功能內存的靜態隨機存儲器，不需要進行刷新電路便能保存它內部存儲的數據。

 

DRAM即是動態隨機存儲器,動態隨機存儲器采用動態存儲單元的隨機存儲器，簡稱DRAM或是動態RAM。

 

SRAM則不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。而DRAM每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內部的數據即刻會消失，因此SRAM具有相對較高的性能，但是SRAM也有缺點，即它的集成度較低，功耗較DRAM大 ，相同容量的DRAM的內存可以設計為比較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積才可以。同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM顯得更貴。

 

SRAM是比DRAM更為昂貴，但更為快速、低功耗（僅空閑狀態）。因此SRAM首選用于帶寬要求高。SRAM比起DRAM更為容易控制，也更是隨機訪問。由于復雜的內部結構，SRAM比DRAM的占用面積更大，因而不適合用于更高儲存密度低成本的應用，如PC內存。

 

時鐘頻率與功耗

SRAM功耗取決于它的訪問頻率。如果用高頻率訪問SRAM，其功耗比DRAM大得多。有的SRAM在全帶寬時功耗達到幾個瓦特量級。另一方面SRAM如果用于溫和的時鐘頻率的微處理器，其功耗將非常小，在空閑狀態時功耗可以忽略不計—幾個微瓦特級別。英尚微電子專業VTI代理SRAM芯片,提供技術支持指導.

VTI  低功耗SRAM型號

Density	Org.	P/N	Temp.	Vcc(V)	Speed(ns)	C/S Option	Package	Packing
1Mbit	128K x 8	VTI501NB08	Industrial	3.3	45/55	2C/S	32TSOP1	Tray
1Mbit	128K x 8	VTI501NB08	Industrial	3.3	45/55	2C/S	32sTSOP1	Tray
1Mbit	128K x 8	VTI501NB08	Industrial	3.3	45/55	2C/S	32SOP	Tray
1Mbit	128K x 8	VTI501HB08	Industrial	5.0	45/55	2C/S	32TSOP1	Tray
1Mbit	128K x 8	VTI501HB08	Industrial	5.0	45/55	2C/S	32sTSOP1	Tray
1Mbit	128K x 8	VTI501HB08	Industrial	5.0	45/55	2C/S	32SOP	Tray
1Mbit	64K x 16	VTI501NL16	Industrial	3.3	45/55	1C/S	44TSOP2	Tray
1Mbit	64K x 16	VTI501NL16	Industrial	3.3	45/55	1C/S	48BGA	Tray
1Mbit	64K x 16	VTI501HL16	Industrial	5.0	45/55	1C/S	48BGA	Tray
1Mbit	64K x 16	VTI501HL16	Industrial	5.0	45/55	1C/S	44TSOP2	Tray

本文關鍵詞： SRAM

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