
最新公告
偽靜態(tài)存儲器(Parrallel pSRAM)的設(shè)計是用于直接替代靜態(tài)隨機存儲器(SRAM),即使內(nèi)部存儲器的操作并非靜態(tài)。商業(yè)化的兩種偽靜態(tài)存儲器分別是偽靜態(tài)隨機存儲器(PSRAM)及鐵電隨機存儲器(F—RAM)。PSRAM針對慢速SRAM應(yīng)用;當純粹計算每個位的成本時具有競爭優(yōu)勢。F-RAM針對電池后備SRAM(即BBSRAM)應(yīng)用,在系統(tǒng)成本及產(chǎn)品供應(yīng)方面具有競爭力。F-RAM還有一個目標用途是用于非易失性數(shù)據(jù)獲得,在這種應(yīng)用中可以提供卓越的性能。
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