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碳化硅為機(jī)械強(qiáng)度、熱穩(wěn)定度、化學(xué)穩(wěn)定度皆非常優(yōu)異的化合物半導(dǎo)體，其莫氏硬度為9，熔點(diǎn)2830°C, 只能以600°C 純KOH溶液蝕刻。碳化硅極高的3.26eV能隙對(duì)比起硅的1.12eV ，使碳化硅擁有耐壓、高效、穩(wěn)定、散熱等優(yōu)勢(shì)。

Fast SiC semiconductor lnc.即思創(chuàng)意股份有限公司專注于sic功率組件之無晶圓廠設(shè)計(jì)公司，主要提供有650V~1700V之SiC MOSFET與SiC二極管，目前唯一將SIC MOSFET設(shè)計(jì)可符合常規(guī)之12v硅基閘極驅(qū)動(dòng)器使用。現(xiàn)時(shí)碳化硅主要應(yīng)用領(lǐng)域?qū)?huì)于高功率電源市場(chǎng)以及極端環(huán)境下的各式應(yīng)用中。

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