內(nèi)存已成為超低功耗物聯(lián)網(wǎng)(IoT)芯片設計中日益重要的組成部份。
 
超低功耗運作是物聯(lián)網(wǎng)應用中一項重要的可持續(xù)性要求，這對于實現(xiàn)無線物聯(lián)網(wǎng)芯片也至關重要，特別是可攜式和遠程物聯(lián)網(wǎng)應用，只有在小電池上運行多年，才具有環(huán)境和商業(yè)上的可行性。
 
low power sram主要是指低功耗國產(chǎn)SRAM存儲器，應用于內(nèi)有電池供電對功耗非常敏感的產(chǎn)品，作為靜態(tài)隨機訪問存儲器的一種類別，靜態(tài)隨機訪問存儲器（SRAM）作為最重要的半導體存儲器，廣泛地嵌入于高性能微處理器。隨著集成電路制造工藝的不斷提升，存儲器占據(jù)芯片的功耗比例越來越大，高速低功耗的SRAM設計變得越來越重要。
 
安徽偉凌創(chuàng)芯是以市場為導向的無晶圓半導體公司。專注SRAM存儲芯片、顯示驅(qū)動，接口轉(zhuǎn)換芯片設計、生產(chǎn)及銷售。產(chǎn)品領域涵蓋智能感知、網(wǎng)絡可視化、信息化、信息安全、大數(shù)據(jù)分析、智能語音、應用展現(xiàn)、特種通信和智能建筑等。
 
隨著無線芯片和MCU功能變得日益強大、也越來越智慧，它們需要嵌入更多內(nèi)存以提高速度并減少延遲。在無線芯片制造商和MCU供貨商之間預計將會出現(xiàn)更多這一類的收購交易。另一方面，這也象征著服務于廣泛物聯(lián)網(wǎng)應用的MCU和SoC設計發(fā)展的新階段。

偉凌創(chuàng)芯(EMI)低功耗SRAM

Part Number	Density	Org.	VCC	Access Times	Temp.	Package
EMI501HB08PM45I	1Mbit	128Kx8bit	4.5V~5.5V	45ns	-40~85℃	32SOP
EMI501HB08PM-55I	1Mbit	128Kx8bit	4.5V~5.5V	55ns	-40~85℃	32SOP
EMI501NL16VM-55I	1Mbit	64Kx16bit	2.7V~ 3.6V	55ns	-40~85℃	44TSOP2
EMI501NL16LM-55I	1Mbit	64Kx16bit	2.7V~ 3.6V	55ns	-40~85℃	48BGA
EMI502NL16VM-55I	2Mbit	128Kx16bit	2.3V~ 3.6V	55ns	-40~85℃	44TSOP2
EMI502NL16LM-55I	2Mbit	128Kx16bit	2.3V~ 3.6V	55ns	-40~85℃	48BGA
EMI504NL08WM-55IT	4Mbit	512Kx8bit	2.7V~ 3.6V	55ns	-40~85℃	32sTSOP1
EMI504NL08PM-55IT	4Mbit	512Kx8bit	2.7V~ 3.6V	55ns	-40~85℃	32SOP
EMI504HL08WM-55I	4Mbit	512Kx8bit	4.5V~ 5.5V	55ns	-40~85℃	32sTSOP1
EMI504HL08PM-55I	4Mbit	512Kx8bit	4.5V~ 5.5V	55ns	-40~85℃	32SOP
EMI504HL08YM-55I	4Mbit	512Kx8bit	4.5V~ 5.5V	55ns	-40~85℃	32TSOP2
EMI504NL16VM-55IT	4Mbit	256Kx16bit	2.7V~ 3.6V	55ns	-40~85℃	44TSOP2
EMI504NL16LM-55IT	4Mbit	256Kx16bit	2.7V~ 3.6V	55ns	-40~85℃	48FBGA
EMI508NL08VM-55IT	8Mbit	1Mbx8bit	2.7V~ 3.6V	55ns	-40~85℃	44TSOP2
EMI508NL08LM-55IT	8Mbit	1Mbx8bit	2.7V~ 3.6V	55ns	-40~85℃	48FBGA
EMI508NL16VM-55I	8Mbit	512Kx16bit	2.7V~ 3.6V	55ns	-40~85℃	44TSOP2
EMI508NL16LM-55I	8Mbit	512Kx16bit	2.7V~ 3.6V	55ns	-40~85℃	48FBGA

 

本文關鍵詞：偉凌創(chuàng)芯,SRAM

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