Everspin MR2A16ACYS35 4MB并行MRAM
2018-05-25 14:43:59
前身為飛思卡爾半導體半導體產品部的Everspin Technologies公司已將4Mb M_作為標準產品,并對客戶進行批量供貨,這款名為MR2A16ACYS35的產品存取時間為25及30納秒,具體參數可以看考規格書,Everspin Technologies公司是全球領先的分立和嵌入式磁阻RAM(MRAM)和自旋扭矩MRAM(ST-MRAM)的設計,制造領導者,其市場和應用領域的數據持久性和完整性 ,低延遲和安全性至關重要。 憑借在數據中心,云存儲,能源,工業,汽車和運輸市場部署的超過7000萬個MRAM和ST-MRAM產品,Everspin建立了世界上MRAM用戶最強大,發展最快的基礎。
Everspin MR2A16ACYS35為524,288字 x 8位的4,194,304位磁阻隨機存取存儲器 (MRAM)。數據保持期長達20年以上而不會丟失,并會在掉電時由低壓抑制電路自動提供保護,以防止在非工作電壓期間寫入。對于必須快速、永久地存儲和檢索關鍵數據和程序的應用。
Everspin將持續快速擴展MRAM產品組合,以協助更多客戶實現產品差異化的目標。根據產品發展藍圖,我們將不斷提高MRAM產品的容量,并以極具成本效益的方式保持MRAM的獨有特性。”
?以下產品列表為4Mb并行MRAM
Density
|
Org. |
Part Number |
Pkg. |
Voltage |
Temp |
4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
4Mb |
256Kx16 |
MR2A16ACYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40 ℃to +85℃ |
4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AVYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +105℃ |
4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AMYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AMA35 |
48-BGA |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
4Mb |
256Kx16 |
MR2A16ACMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
4Mb |
256Kx16 |
MR2A16AVMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +105℃ |
4Mb |
512Kx8 |
MR2A08AYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
4Mb |
512Kx8 |
MR2A08ACYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
4Mb |
512Kx8 |
MR2A08AMYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40 ℃to +125℃ |
4Mb |
512Kx8 |
MR2A08AMA35 |
48-BGA |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
4Mb |
512Kx8 |
MR2A08ACMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
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