MRAM使得設計產(chǎn)品無需配備后備電池和掉電保護電路。單芯片MRAM解決方案能夠使產(chǎn)品體積做得更小，減少維護和保養(yǎng)成本，滿足環(huán)保、低功耗等要求。其高速讀寫/高讀寫耐久性能夠滿足對患者信息數(shù)據(jù)實時頻繁記錄的要求。其抗輻射性則非常適用于需要對產(chǎn)品進行射線消毒的領域。這些優(yōu)點都非常適合便攜式醫(yī)療器械應用。

對于一些工業(yè)和通信類應用，工程師往往會選用SRAM加EEPROM及電容的存儲方案，靠電容維持SRAM運作，然后將SRAM的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)存到EEPROM中。這樣，相對單一的鐵電存儲器方案，系統(tǒng)的復雜度增加了很多，而且這也存在一定的風險。選用SRAM加電池來存儲，同樣沒有多少優(yōu)勢，而且電池也存在一定使用壽命；在野外等工作環(huán)境比較惡劣的情況下，電池還有可能會腐爛。而鐵電存儲器只要一顆就可以解決，并且可以減少不必要的風險。

　　
在醫(yī)療領域，MRAM的最大優(yōu)點在于它的抗輻射性。而對于工業(yè)領域應用（比如電表和流量計應用），它們對數(shù)據(jù)的記錄非常頻繁（ms級），MRAM的優(yōu)點在于高耐久性。對于汽車應用，考慮到駕車的安全性，在停車前的15s或30s需要將汽車的行駛狀況記錄下來。如果存儲器存儲速度不夠快，最后的關(guān)鍵數(shù)據(jù)可能丟失。鐵電存儲器能夠很好地滿足這類應用。

很多工程師在設計產(chǎn)品時需要用到很大容量的存儲器，但是如果MRAM容量太大導致成本無法接受的話，有一種解決方法是采用小容量的MRAM存儲關(guān)鍵數(shù)據(jù)，將不太重要的數(shù)據(jù)存儲到FLASH或EEPROM中，這樣既解決了成本問題，安全性又能得到保障。

本文關(guān)鍵詞：MRAM

 

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