MRAM的主體結(jié)構(gòu)由三層結(jié)構(gòu)的MTJ構(gòu)成：自由層（free layer），固定層和氧化層。自由層與固定層的材料分別是CoFeB和MgO。,MRAM 是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲器（SRAM）的高速讀取寫入能力，以及動態(tài)隨機(jī)存儲器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。存儲器讀取電路是通過加載相同的電壓判斷輸出電流的大小從而判斷存儲器的信息。


everspin的最新MRAM技術(shù)利用自旋轉(zhuǎn)矩傳遞特性，即利用極化電流操縱電子的自旋，以建立自由層的所需磁狀態(tài)，以對存儲陣列中的位進(jìn)行編程或?qū)懭搿?br />  
與Toggle MRAM相比，自旋傳遞扭矩MRAM或STT-MRAM顯著降低了開關(guān)能量，并且具有高度可擴(kuò)展性，從而可以實(shí)現(xiàn)更高密度的存儲產(chǎn)品。我們的第三代MRAM技術(shù)使用垂直MTJ。我們已經(jīng)開發(fā)了具有高垂直磁各向異性的材料和垂直MTJ疊層設(shè)計(jì)，可提供長數(shù)據(jù)保留，小單元尺寸，更大密度，高耐久性和低功耗。
 
1Gb是最新一代的STT-MRAM，利用了ST-DDR4，它是一種類似于JEDEC的DDR4接口，需要進(jìn)行一些修改才能利用MRAM技術(shù)的持久性。 這些產(chǎn)品的性能類似于持久性DRAM，但無需刷新。計(jì)劃開發(fā)其他產(chǎn)品，這些產(chǎn)品將利用高速串行接口用于各種嵌入式應(yīng)用。



 本文關(guān)鍵詞： everspin  STT-MRAM

相關(guān)文章：Everspin非易失性MRAM切換技術(shù)

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機(jī)記憶體產(chǎn)品及方案提供商，十年來專業(yè)致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價(jià)比更高的產(chǎn)品及方案。
英尚微電子中國區(qū)指定的授權(quán)代理：VTI、NETSOL、JSC濟(jì)州半導(dǎo)體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導(dǎo)體品牌的專業(yè)分銷商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。