?低功耗SRAM存儲器EMI501NL16LM-55I完美替換IS63WV1288DBLL-10JLI
2021-05-11 09:56:51
ISSI IS63WV1288DBLL-10JLI是一種非常高速且低功耗的128X8位CMOS靜態
SRAM。該產品使用ISSI的高性能CMOS技術制造。這種高度可靠的過程與創新的電路設計技術相結合,可產生更高性能和更低功耗的設備。當CE為高電平(取消選擇)時,器件采用待機模式,在這種模式下,利用CMOS輸入電平,功耗可降至25 µW(典型值)。IS63WV1288DBLL由單個Vdd電源供電。下面介紹一款可用于替換此款型號的
國產EMI SRAM EMI501NL16LM-55I。
EMI501NL16LM-55I是由EMI制造的先進的完整CMOS工藝技術所制造出來的。該型號支持工業溫度范圍和芯片級封裝,可 為用戶提供系統靈活性設計。同時也支持低數據用于電池備用操作的保持電壓低數據保持電流。
EMI代理支持提供樣品支持及技術解決方案。
特征
●工藝技術:全CMOS
●位寬:64Kx 16位
●電源電壓:2.7V?3.6V
●低數據保持電壓:1.5V(最小值)
●三態輸出和TTL兼容
●標準封裝44TSOP2,48BGA
●工業操作溫度
關于EMI
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公司提供創新、高品質、高性價比、 供貨持續穩定的芯片,并通過提供軟硬件Turnkey solution,降低客戶研發難度,縮短客戶量產時程。產品領域涵蓋智能感知、網絡可視化、信息化、信息安全、大數據分析、智能語音、應用展現、特種通信和智能建筑等。
本文關鍵詞: EMI EMI501NL16LM-55I,IS63WV1288DBLL-10JLI
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