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CXL上MRAM的數(shù)據(jù)持久性

2024-10-16 15:39:27

    MRAM是一種利用電子自旋的磁性來提供非易失性而不會磨損的存儲器。MRAM將信息存儲在與硅電路集成的磁性材料中,在單個無限耐用的設(shè)備中提供SRAM的速度和閃存的非易失性。
 
    新興的CXL接口提供了最適合MRAM的非確定性訪問范式,以及支持計算機(jī)內(nèi)存和存儲解決方案的協(xié)議,一直到可以組合起來解決最苛刻的計算應(yīng)用的加速器,特別是在人工智能領(lǐng)域。此外,CXL接口允許MRAM分解并與CXL總線上的大量計算節(jié)點(diǎn)共享,例如在HPC用例中。此外,CXL附加MRAM提供遠(yuǎn)程永久內(nèi)存功能,可用于記錄數(shù)據(jù),作為寫緩存或臨時保護(hù)傳輸中的數(shù)據(jù),消除了復(fù)雜的電源故障機(jī)制。
 
    在作為CXL卸載加速器的配置中,MRAM可以提供永久存儲器,也可以用于存儲AI推理應(yīng)用的權(quán)重。顯然,CXL還具有跨代將MRAM無縫連接到應(yīng)用程序的優(yōu)勢,減少了設(shè)備和主機(jī)的接口R&D工作。CXL最后提供了一個接口選項(xiàng),使用戶能夠在各種用例中部署MRAM,從而提高系統(tǒng)性能、能效和可靠性。


本文關(guān)鍵詞:MRAM

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