最近測評紫光的DDR3顆粒整體表現(xiàn)還不錯，也有部分媒體寫的很夸張，似乎紫光DDR3內(nèi)存要碾壓金士頓、芝奇、三星了，但是真正的情況是紫光的DDR3內(nèi)存也是剛起步而已，現(xiàn)在網(wǎng)上買的紫光顆粒DDR3內(nèi)存條主要是經(jīng)銷商所為，數(shù)量并不多，店鋪顯示的庫存只有60多條而已。

　
但是這DDR3內(nèi)存也不是紫光自主研發(fā)的，生產(chǎn)單位西安紫光國芯其實是買來的，一開始它是英飛凌2003年在西安成立的存儲芯片部門，2006年英飛凌半導體業(yè)務拆分成立了奇夢達科技，2009年他們被國內(nèi)的浪潮公司收購，重組成了西安華芯半導體，2015年紫光從另一個清華系公司同方手中收購了同方國芯的36%的股權(quán)，成立了紫光國芯，而西安紫光國芯就是他們從浪潮手中買來的，現(xiàn)在是子公司，他們的DDR3內(nèi)存實際上也是奇夢達公司的遺產(chǎn)。

　　
雖然DDR3內(nèi)存現(xiàn)在還沒有遭到淘汰，但是它確實不是現(xiàn)在桌面、服務器以及智能設(shè)備的主流了，所以更多人傾向于期待紫光國產(chǎn)DDR4內(nèi)存，不過早前紫光針對這事辟謠過，表示現(xiàn)在還沒有量產(chǎn)DDR4內(nèi)存，后來我們得到的消息說紫光預計在今年下半年推出DDR4內(nèi)存顆粒，但是具體的情況就一無所知了，容量、價格等等關(guān)鍵信息還是未知數(shù)。

　　
不僅是主流內(nèi)存量產(chǎn)進度落后于國際，國產(chǎn)內(nèi)存現(xiàn)在還有技術(shù)落伍的風險，至今為止紫光的DDR3顆粒制程工藝也沒有對外公布，但是由于奇夢達已經(jīng)是10多年前的事了，西安紫光國芯的DRAM工藝至少也是30nm及以上級別的了，而現(xiàn)在主流的內(nèi)存工藝早就是20nm級別了，三星2016年就量產(chǎn)18nm工藝了，下一步就是17nm工藝了。

國產(chǎn)內(nèi)存確切的制程工藝一直是個謎，但是我們可以從蛛絲馬跡下驗證，去年兆易創(chuàng)新公司宣布進軍DRAM內(nèi)存，他們與合肥市政府控股投資公司簽署了合作協(xié)議，項目預算高達180億元，目標是在2018年底研發(fā)出19nm工藝的內(nèi)存芯片。如果研發(fā)成功了，兆易創(chuàng)新的內(nèi)存工藝其實還是挺先進的，盡管還是比不過三星，但至少也是主流級別的了，只不過兆易創(chuàng)新的目標是良率不低于10%，這個標準并不是量產(chǎn)水平的，10%的良率只可能是技術(shù)實驗，這說明量產(chǎn)上市暫時還實現(xiàn)不了。

　　
別說DRAM內(nèi)存了，國內(nèi)的NAND閃存工藝還是非常落后的，紫光在武漢的長江存儲公司現(xiàn)在研發(fā)的只是32層堆棧的閃存，核心容量不過64Gb，這比目前主流64層堆棧、核心容量256Gb甚至512Gb的3D NAND落后兩年時間。

而兆易創(chuàng)新的NAND閃存量產(chǎn)水平才是38nm工藝，24nm級別的還在研發(fā)中，目前還是2D NAND閃存，而三星、東芝早就量產(chǎn)15、16nm工藝的2D NAND閃存了， 2D閃存是他們正在淘汰的技術(shù)

國產(chǎn)內(nèi)存基礎(chǔ)這么差，技術(shù)差距這么大，難道我們要放棄發(fā)展這個領(lǐng)域嗎?這當然是不可能的，我國不止存儲芯片領(lǐng)域落后于他人，以前大家羨慕日本、歐洲的高鐵，現(xiàn)在中國的高鐵里程遠超其他國家，內(nèi)存產(chǎn)業(yè)也會如此，中國這么大的市場完全依賴進口是不可行的，在國產(chǎn)內(nèi)存這個問題上，中國擁有全球最大的市場，而且現(xiàn)在有大筆投資，我們的方向是正確的，現(xiàn)在缺少的是理性的發(fā)展策略。

 

本文關(guān)鍵詞：NAND閃存     DDR3

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